Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	N y P-canal, dren común
Característica del FET	Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	12A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	30mOhm @ 12A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	10.8nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	650pF @ 20V
Poder - máximo	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	TO-252-5, DPak (4 ventajas + etiquetas), TO-252AD
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252-4L

Detalle del producto

1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.

2. Orden de la muestra.

3. Le contestaremos para su investigación en 24 horas.

4. Después de enviar, seguiremos los productos para usted una vez cada dos días, hasta que usted consiga los productos.

5. Cuando usted consiguió las mercancías, la prueba ellas, y me da una reacción. Si usted tiene cualquier problema

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Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

datasheet 7 segment common anode

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