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Detalle del producto
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
---|---|---|
Situación de la parte | Activo | |
Tipo del FET | N y P-canal, dren común | |
Característica del FET | Puerta del nivel de la lógica | |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 40V | |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 12A | |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 30mOhm @ 12A, 10V | |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 10.8nC @ 10V | |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 650pF @ 20V | |
Poder - máximo | 2W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | TO-252-5, DPak (4 ventajas + etiquetas), TO-252AD | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252-4L |
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