arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W

Number modelo:AO4884
Cantidad de orden mínima:>=1pcs
Condiciones de pago:LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente:100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Plazo de expedición:2-3Days
Detalles de empaquetado:1. La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caj
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Hong kong China
Dirección: B5 plano 1/F., Manning Ind. Edificio, 116-118 cómo Ming Street, pinzas de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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Detalles del producto

Transistores - soporte superficial 8-SOIC del canal N del arsenal 2 del Mosfet del chip CI AO4884 de los FETs 40V (dual) 10A 2W


DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO


El número de parte AO4884 es fabricado por tecnologías del TI y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.


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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

China arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W supplier

arsenal discreto 2 del Mosfet de los transistores AO4884 de los dispositivos de semiconductor de 40V 10A 2W

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