El MOSFET del transistor del TI CSD75207W15 pone en orden Pin dual DSBGA T/R de P CH 3.9A 9
Number modelo:CSD75207W15
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:Qty del paquete
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000+
Plazo de expedición:2 semanas
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Shenzhen China
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
El MOSFET del transistor del TI CSD75207W15 pone en orden P-CH dual 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| SVHC | Sí |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Configuración | Dual |
| Tecnología de proceso | NexFET |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos por microprocesador | 2 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | -6 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 1,1 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 3,9 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 54@4.5V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 2,9 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 458 |
| Disipación de poder máxima (mW) | 700 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 16 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 8,6 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 32,1 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 12,8 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Paquete del proveedor | DSBGA |
| Pin Count | 9 |
| Nombre del paquete estándar | BGA |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 0,28 (máximo) |
| Longitud del paquete | 1,5 |
| Anchura del paquete | 1,5 |
| El PWB cambió | 9 |
| Forma de la ventaja | Bola |
El MOSFET del transistor del TI CSD75207W15 pone en orden Pin dual DSBGA T/R de P CH 3.9A 9
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