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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Soporte dual 8 de la superficie del canal N 30V 7A 1.6W del componente eléctrico 2 del Ic del arsenal del Mosfet FDS8984 - SOIC

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Chip CI del circuito integrado

 [1016]

Chip CI programable

 [57]

chip CI electrónico

 [139]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [56]

transistor de poder del mosfet

 [86]

Condensador de fines generales

 [48]

Módulo de alimentación IGBT

 [26]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [14]

Oscilador superficial del soporte

 [16]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [6]

Varistor

 [4]
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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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China Soporte dual 8 de la superficie del canal N 30V 7A 1.6W del componente eléctrico 2 del Ic del arsenal del Mosfet FDS8984 - SOIC wholesale
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Soporte dual 8 de la superficie del canal N 30V 7A 1.6W del componente eléctrico 2 del Ic del arsenal del Mosfet FDS8984 - SOIC
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Número de modelo :FDS8984
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :El empaquetado más pequeño/nos entra en contacto con
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 2500PCS/Standard
Condición :new&original
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ HK fijan, DHL, UPS, TNT, TNT o el ccsme
Garantía :180 días
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Soporte 8-SOIC de la superficie del canal N del arsenal 2 del Mosfet FDS8984 30V (dual) 7A 1.6W

Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta llana de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs 13nC @ 10V
Entre la capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds 635pF @ 15V
Poder - máximo 1.6W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C

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