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Transistor de poder del RF de los MOSFETs del modo del aumento del canal N MRF173 Diseñado para los usos comerciales y militares de banda ancha...
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El transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, DESCRIPCIÓN de encargo del transistor de poder más elevado del transistor de efecto de campo El ......
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CANAL N SUPERFICIAL 55V 17A 45W de la d PAK del TRANSISTOR de PODER MÁS ELEVADO del SOPORTE IRFR024NTRPBF Descripción de producto detallada...
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Transistor de poder más elevado de MOhms del canal N 56 del transistor de poder de FDA59N30 Pnp 59A 300V Descripción...
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N - ¿Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G del Mosfet del poder más elevado del rf del ohmio Características • Bajo EN resistencia • Carga b...
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Canal N 600 V, tipo del MOSFET del transistor de poder del Mosfet STO33N60M6 de 105 mOhm., característica de 26 A • Pérdidas que cambian reducidas • ......
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Resistencia de alta potencia sin detección de frecuencia 800w 100 ohm Resistente RF Resistente de brida de alta potencia nombre del producto: Componen......
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carga simulada 4,3 - 10 o conector macho 160dBc PIM de la carga de 200W RF del dinar Descripción: 1. la carga del RF del poder más elevado 200...
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Transistores de poder del silicio NPN de los transistores de 2SC2987 NPN PNP DESCRIPCIÓN ·Con el paquete de TO-3PN ·Complemento para mecanografiar ......
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Transistor de alta potencia de carburo de silicio duradero multifuncional Descripción del producto: Con su baja resistencia, el MOSFET de carburo...
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Semiconductor de alta potencia con corriente de recuperación inversa extremadamente baja Descripción del producto: El semiconductor de alta potenci...
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Descripción del producto Tipo de producto:Transistor de unión bipolar BJTNúmero del modelo:KSE13009ILa serie:KSE13009Vendedor:¿Qué es eso?Embalaje:T......
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Transistores de poder de HMC789ST89ETR RF Descripción de producto: Los transistores de poder de HMC789ST89ETR RF son transistores de alto rendimien...
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BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores El fabricante: Diodos de aluminio Categoría de producto: Mejora del canal...
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INNOTION YP01401650T 50W Nitruro de galio 28V DC-4GHz Transistor de potencia de alta movilidad de electrones GAN RF Descripción del producto Innot...
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