transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

Número de modelo:VBE09260B2
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
Capacidad de la fuente:10k
Plazo de expedición:5-8 días laborables
Detalles de empaquetado:embalaje neutral
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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China transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD supplier

transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

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