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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

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transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

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Número de modelo :VBE09260B2
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1pcs
Capacidad de la fuente :10k
Plazo de expedición :5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :embalaje neutral
Condición :nueva y original
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