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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo suave ultrarrápido IGBT de la recuperación 600V 22A 156W TO220AB Cara...
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Campo-parada 650 V, 60 de la puerta del foso una serie de alta velocidad IGBT de la HB Características • Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175......
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Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHO...
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Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P Descripciones: La serie del UFD de Fairc...
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