Foso de alta velocidad Igbt de la parada de campo de STGW60H65DFB Igbt 600V 60A
Number modelo:STGW60H65DFB
Lugar del origen:Fábrica original
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Capacidad de la fuente:6000 piezas por mes
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Shenzhen Guangdong China
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Campo-parada 650 V, 60 de la puerta del foso una serie de alta velocidad IGBT de la HB
Características
• Temperatura de empalme máxima: TJ = °C 175
• Serie que cambia de alta velocidad
• Corriente minimizada de la cola
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 60 A
• Distribución apretada del parámetro
• El ser paralelo a seguro
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (se sentó)
• Resistencia termal baja
• Diodo antiparalelo de la recuperación suave muy rápida
Usos
• Inversores fotovoltaicos
• Convertidores de alta frecuencia
Descripción
Estos dispositivos son IGBTs desarrollado usando una estructura propietaria avanzada del fieldstop de la puerta del foso.
Estos dispositivos son parte de las nuevas series de la HB de IGBTs, que representan un compromiso óptimo
entre la conducción y la pérdida que cambia para maximizar la eficacia de cualquier convertidor de frecuencia.
Además, el coeficiente de temperatura levemente positivo de VCE (se sentó) y la distribución muy apretada del parámetro
resultado en una operación que es paralelo a más segura.
Especificaciones
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoría de producto: | Transistores de IGBT |
| Si | |
| TO-247-3 | |
| A través del agujero | |
| Solo | |
| 650 V | |
| 1,6 V | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 80 A | |
| 375 W | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| STGW60H65DFB | |
| Tubo | |
| Corriente de colector continua Ic máxima: | 60 A |
| Corriente de la salida del Puerta-emisor: | nA 250 |
Guía de las compras
| Envío | Período de entrega | |
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| Seguimiento del envío |
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Vuelta | Vuelta |
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| Garantía |
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| El ordenar | | |
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