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IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta

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Number modelo :IRGB10B60KDPBF
Lugar del origen :Alemania
Cantidad de orden mínima :5-10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :Tubo
PN :IRGB10B60KDPBF
Marca :INFINEON/IR
Original :Alemania
Tipo :Diodo suave ultrarrápido aislado de la recuperación del transistor bipolar de la puerta
Voltaje :IGBT 600V 22A 156W
paquete :TO220AB
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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo suave ultrarrápido IGBT de la recuperación

600V 22A 156W TO220AB

Características
• VCE bajos (encendido) no perforan con tecnología de IGBT.
• Diodo bajo VF.
• capacidad del cortocircuito 10µs.
• Cuadrado RBSOA.
• Características reversas de la recuperación del diodo Ultrasoft.
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (encendido).
• Sin plomo
Ventajas
• Eficacia de la prueba patrón para el control de motor.
• Funcionamiento transitorio rugoso.
• EMI baja.
• Actual excelente compartiendo paralelamente la operación.
Número de parte IRGB10B60KDPBF
Fabricante Infineon
Transistores discretos de los productos de semiconductor de las categorías - IGBTs - solo fabricante Infineon
Empaquetado Tubo
Original Alemania
Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT NPT
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 22A
Actual - colector pulsado (Icm) 44A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge Ic 2.2V @ 15V 10A
Poder - máximo 156W
Energía que cambia 140µJ (encendido) 250µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 38nC

IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta
IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta
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Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contacto: VIVI-CHEN
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