Modulos IGBT para automóviles FS28MR12W1M1HB70 1200V CoolSiC MOSFET Modulo IGBT de seis paquetes [MJD ventaja] + 15 años de experiencia en compone...
Add to Cart
Anuncio del producto: IR2104STRPBF Tipo de producto: Chip CI del semiconductor Tipo del paquete: STRPBF Descripción: El IR2104STR...
Add to Cart
NCS20074DTBR2G - Controlador MOSFET dual de alta velocidad para MOSFET de potencia e IGBT Encuentre información aquí en stock.xlsx Introducc...
Add to Cart
JY21L Conductor del lado del cielo y tierra Descripción generalEl producto es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del MOSFET del poder...
Add to Cart
Transformador de la impulsión de la puerta de EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uH Características: ●El transformador que cambiaba de alta velocidad para l...
Add to Cart
IRG4BC30UDPBF Módulo de potencia IGBT Transistores IGBT individuales IRG4BC30UDPBF Especificaciones Estado de la pieza Activo...
Add to Cart
Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...
Add to Cart
El semipuente del chip CI de los conductores del MOSFET y de IGBT del poder de IR2110PBF bloquea el conductor IC 14-DIP Descripción Los IR...
Add to Cart
SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120 S-IGBT rápido en NPT-tecnología • el 40% una E más bajaapagado comparado a la generación anterior...
Add to Cart
El HF tocó la cortadora portátil del plasma construida en bomba de aire con la función del Muttahida Majlis-E-Amal del mosfet DC Características de la ......
Add to Cart
Conductor SCALETM-2+IGBT del canal IGBT del DUA y base del conductor del MOSFET Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje? A: Generalme...
Add to Cart
Aires acondicionados de las impulsiones del motor del módulo STGIPS30C60 30A 600V IGBT GIPS30C60 del IPM IGBT Características • IPM 30 A, 600 puente......
Add to Cart
Condición de la soldadora del Mosfet del Muttahida Majlis-E-Amal IGBT de la CA DC nueva 280A La soldadora del Muttahida Majlis-E-Amal es una soldadora ......
Add to Cart
Soporte superficial TO-268HV (IXBT) de IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 WIXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ que conduce reverso IGBTsIXYS IXBx14N300HV BiM...
Add to Cart
Proveedor de China del diodo de rectificador de la electrónica de IC del microprocesador del transistor del módulo de poder del Mosfet STGIPS20K60 Ca......
Add to Cart
Inversor IGBT con SiC Mosfet para motores sin escobillas y gestión de baterías de litio Características • Coeficiente de temperatura positivo • Ca......
Add to Cart
Canal N del módulo de poder de IPB044N15N5 IGBT los 3.4M Ohms Resistance FOSO >=100V del MOSFET del tubo 150V174A del MOS del remiendo de IP...
Add to Cart
KMP15H12X4-7M Modulo IGBT robusto para ambientes hostiles y altas temperaturas Descripción del producto: El módulo IGBT es un componente electrónico......
Add to Cart
Halógeno funcional multi del transistor de poder del Mosfet - la descripción disponible del transistor de poder del Mosfet de los dispositivos libres ......
Add to Cart