MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G

Number modelo:NCS20074DTBR2G
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NCS20074DTBR2G - Controlador MOSFET dual de alta velocidad para MOSFET de potencia e IGBT


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Introducción:

El NCS20074DTBR2G es un controlador MOSFET dual de alta velocidad diseñado para controlar dos MOSFET o IGBT de canal N en una configuración de medio puente.Su rápido tiempo de subida y bajada (15 ns típico) y su amplio rango de voltaje de entrada (4,5 V a 18 V) lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.


Aplicaciones:

Convertidores CC-CC, accionamientos de motor, inversores de potencia


Atributos del producto:

Atributos del productoEspecificaciones
Marcaen semiconductores
Rango de voltaje de suministro4.5V a 18V
Corriente de salidaPico 4A
Tiempo de subida/bajada15ns típico
Tipo de paqueteTSSOP-8
Temperatura de funcionamiento-40°C a 125°C

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Preguntas más frecuentes:

P1: ¿Cuál es el voltaje máximo que puede manejar el NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G tiene un voltaje de entrada máximo de 18 V.


P2: ¿Cuál es la corriente de salida del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G puede proporcionar una corriente de salida máxima de 4A.


P3: ¿Cuál es el tipo de paquete del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G viene en un paquete TSSOP-8.


P4: ¿Cuáles son algunas aplicaciones comunes del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G se usa comúnmente en convertidores CC-CC, accionamientos de motor e inversores de potencia.


P5: ¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento del NCS20074DTBR2G?

R: El NCS20074DTBR2G puede funcionar a temperaturas que oscilan entre -40 °C y 125 °C.

China MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G supplier

MOSFETs duales de alta velocidad e IGBTs de For Power del conductor del MOSFET de NCS20074DTBR2G

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