IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ que conduce reverso IGBTs combinan las fuerzas de MOSFETs y de IGBTs. Estos dispositivos de alto voltaje son ideales para la operación paralela debido al coeficiente de temperatura positivo del voltaje de su voltaje de saturación y de la caída de voltaje delantera de su diodo intrínseco. Los diodos intrínsecos “libres” del cuerpo del servicio de IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs como diodo de la protección, proporcionando una trayectoria alternativa para la carga inductiva actual durante vuelta-apagado del dispositivo, evitando que los altos transeúntes del voltaje de Ldi/dt inflijan daño al dispositivo.

Usando el IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, diseñadores del poder pueden eliminar los dispositivos clasificados de tensión inferior, más de poca intensidad serie-paralelos múltiples, de tal modo la reducción del número de componentes del poder requeridos y la simplificaión del conjunto de circuitos asociado de la impulsión de la puerta. Esta característica da lugar a un diseño de sistemas mucho más simple con una confiabilidad más barata y mejorada.

Los IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs están disponibles en paquetes de TO-263HV (IXBA14N300HV) y de TO-268HV (IXBT14N300HV). Estos dispositivos ofrecen un -55°C a la gama de temperaturas de empalme de +150°C.

CARACTERÍSTICAS

Diodo intrínseco “libre” del cuerpo
Ahorra el espacio eliminando los dispositivos clasificados de tensión inferior, más de poca intensidad serie-paralelos múltiples
Densidad de poder más elevado
Operación de alta frecuencia

Pérdidas bajas de la conducción
La puerta del MOS se gira para la simplicidad de la impulsión
aislamiento eléctrico 4000V
Requisitos bajos de la impulsión de la puerta

USOS

fuentes del Interruptor-modo y de alimentación del resonante-modo
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
Generadores del laser

Circuitos de la descarga del condensador
Interruptores de la CA

ESPECIFICACIONES

voltaje del colector-emisor 3000V (VCES)
voltaje de la colector-puerta 3000V (VCGR)
voltaje del puerta-emisor de ±20V (VGES)
corriente de colector de ±38A en +25°C (IC25)
corriente de salida de puerta de ±100nA (IGES)

corriente de colector de ±14A en +110°C (IC110)
voltaje de saturación del colector-emisor 2.7V (VCE (se sentó))
10μs cortocircuito-circuito-soportan el tiempo (tsc)
disipación de poder del colector 200W (PC)
-55°C a la gama de temperaturas de empalme de +150°C

DESIGNACIONES Y DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DEL PIN

Soporte superficial IXBT14N300HV del módulo 3000V 38A 200W del transistor de TO-268HV IGBT

ESQUEMA DEL PAQUETE DE TO-263HV

ESQUEMA DEL PAQUETE DE TO-268HV

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