El semipuente del chip CI de los conductores del MOSFET y de IGBT del poder de IR2110PBF bloquea el conductor IC 14-DIP
Descripción
Los IR2110/IR2113 son alto voltaje, conductores de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT con los canales de salida referida independientes del lado del cielo y tierra. Las tecnologías inmunes propietarias de HVIC y del cierre Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. Las entradas de la lógica son compatibles con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en usos de alta frecuencia. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 500 o 600 voltios.
Característica:
• El canal de flotación diseñó para la operación del tirante completamente - operativa a +500V o a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• lógica separada compatible de la gama de la fuente de la lógica de la lógica 3.3V de 3,3V a 20V y compensación de tierra del poder ±5V
• Entradas Schmitt-accionadas Cmos con tirón-abajo
• Ciclo por lógica borde-accionada ciclo del cierre
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Salidas en fase con las entradas
Artículo de la serie:
Máximo 500V de VOFFSET (IR2110).
(IR2113) máximo 600V.
INFORMACIÓN DE LA ORDEN
orden IR2110PbF de 14-Lead PDIP IR2110
orden IR2113PbF de 14-Lead PDIP IR2113
orden IR2110SPbF de 16-Lead SOIC IR2110S
orden IR2113SPbF de 16-Lead SOIC IR2113S
