Proveedor de China del diodo de rectificador de la electrónica de IC del microprocesador del transistor del módulo de poder del Mosfet STGIPS20K60

Number modelo:STGIPS20K60
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:25pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:28000PCS
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Proveedor de China del diodo de rectificador de la electrónica de IC del microprocesador del transistor del módulo de poder del Mosfet STGIPS20K60

Características
17 puentes de A, 600 de V trifásicos IGBT del inversor incluyendo el control ICs para el ■ de conducción y que anda sin embragar 3,3 V de la puerta de los diodos, 5 V, 15 comparadores de las entradas de V CMOS/TTL con histéresis y abajo/para levantar del tirón los resistores
■Diodo interno del tirante
■Función que entrelaza
■Coeficiente de temperatura negativo de VCE (se sentó)
■Cortocircuito IGBTs rugoso
■Cierre del Undervoltage
■Función elegante del cierre
■Comparador para la protección de la falta contra encima temperatura y sobreintensidad de corriente
■DBC aisló completamente el paquete
■Grado del aislamiento de 2500 Vrms/del minuto

Usos
inversores trifásicos para las impulsiones del motor
■Aparatos electrodomésticos, tales como lavadoras, refrigeradores, aires acondicionados

Descripción
El módulo de poder inteligente STGIPS20K60 proporciona una impulsión del motor de CA del rendimiento compacto, alto para un diseño simple y rugoso. Apunta principalmente los inversores de la energía baja para los usos tales como aparatos electrodomésticos y aires acondicionados. Combina el control propietario ICs del ST con el sistema rugoso del cortocircuito más avanzado IGBT

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)

Voltaje de fuente del VPN aplicado entre P - NU, nanovoltio, nanovatio 450 V

Voltaje de fuente del VPN (oleada) (oleada) aplicado entre P - NU, nanovoltio, voltaje del emisor del colector del nanovatio 500 V VCES (VIN (1) = 0)

3. Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima

Cada IGBT pulsó la corriente de colector 40 A

PTOT cada disipación del total de IGBT en TC = 25°C

El cortocircuito del tscw de 42 W soporta tiempo,

VCE = 0,5 V (BR) CES TJ = 125 °C, VCC = Vboot= 15 V, µs del ÷ 5 V 5 de VIN (1)= 0


TRANSPORTE BC847BLT118000ENCHINA
RC0805JR-0710KL35000YAGEOCHINA
RC0805JR-071KL20000YAGEOCHINA
DIODO DF06S3000SEPTCHINA
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB20000TDKJAPÓN
DIODO US1A-13-F50000DIODOSMALASIA
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF10000TDKJAPÓN
RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL500000YAGEOCHINA
RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML500000YAGEOCHINA
DIODO P6KE180A10000VISHAYMALASIA
RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL500000YAGEOCHINA
MUNICIÓN DE DIODO UF4007500000MICCHINA
Transporte. ZXMN10A09KTC20000ZETEXTAIWÁN
RES 0805 4K7 el 5%
RC0805JR-074K7L
500000YAGEOCHINA
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA110000LITE-ONTAIWÁN
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F30000DIODOSMALASIA
TRANSPORTE STGW20NC60VD1000STMALASIA
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB500TITAILANDIA
C.I MC33298DW1000MOTMALASIA
C.I MC908MR16CFUE840FREESCALMALASIA
C.I P8255A54500INTELJAPÓN
C.I HM6116P-25000HITACHIJAPÓN
C.I DS1230Y- 1502400DALLASFILIPINAS
Transporte. ZXMN10A09KTC18000ZETEXTAIWÁN
TRIAC BT151-500R500000MARRUECOS
C.I HCNR200-000E1000AVAGOTAIWÁN
TRIAC TIC116M10000TITAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T18000VISHAYMALASIA
DIODO ES1D-E3-61T18000VISHAYMALASIA
C.I MC908MR16CFUE840FREESCALTAIWÁN
C.I CD40106BE250TITAILANDIA
ACOPLADOR PC733H1000SOSTENIDOJAPÓN
TRANSPORTE NDT452AP5200FSCMALASIA
CI LP2951-50DR1200TITAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G1200ENMALASIA
DIODO MBR20200CTG22000ENMALASIA
FUSIVEL 30R300UU10000LITTELFUSEITAIWÁN
C.I TPIC6595N10000TITAILANDIA
EPM7064STC44-10N100ALTERAMALASIA
DIODO 1N4004-T5000000MICCHINA
C.I CD4060BM500TITAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M500FSCMALASIA
DIODO W08500SEPTCHINA
C.I SN74HC373N1000TIFILIPINAS
FOTOSENSOR LOS 2SS52M500HoneywellJAPÓN
C.I SN74HC02N1000TITAILANDIA
C.I CD4585BE250TITAILANDIA
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C40MICRÓNMALASIA
DIODO MMSZ5242BT1G30000ENMALASIA


Dimensiones del paquete
unidad: milímetro 2120

China Proveedor de China del diodo de rectificador de la electrónica de IC del microprocesador del transistor del módulo de poder del Mosfet STGIPS20K60 supplier

Proveedor de China del diodo de rectificador de la electrónica de IC del microprocesador del transistor del módulo de poder del Mosfet STGIPS20K60

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