Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Módulo del transistor de IGBT

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 Módulo del transistor de IGBT

Módulo IXYH30N450HV 4500 V 60 A 430 W del transistor de TO-247HV IGBT a través del agujero

IXYH30N450HV IGBT pinta 4500 V 60 A 430 W a través del agujero TO-247HVIXYS IXYT30N450HV y IXYH30N450HV XPT™ IGBTsCaracterística de alto voltaje de......
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Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L

Parada de campo del foso de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W a través del agujero TO-247-4Lfoso IGBTs del onsemi FGHL75T65MQDTx el foso IGBTs
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Módulo 1200V 80A 306W del transistor de FGH4L40T120LQD IGBT a través del agujero TO-247-4L

Parada de campo del foso de FGH4L40T120LQD IGBT 1200 V 80 A 306 W a través del agujero TO-247-4Lonsemi FGH4L40T120LQD IGBT el onsemi FGH4L40T120LQD
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Parada de campo del foso IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W a través del agujero

IXYX110N120B4 IGBT 1200 V 340 A W 1360 a través del agujero PLUS247™-3 Cualidad de producto Valor del atributo Cualidad sele
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Soporte superficial TO-263HV del módulo 2500V 30A 150W del transistor de IXGA20N250HV IGBT

Soporte superficial TO-263HV de IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 WIXYS IXGA20N250HV IGBT de alto voltajeIXYS IXGA20N250HV IGBT de alto voltaje (tra
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IKWH50N65WR6XKSA1 aisló el transistor bipolar 650V de la puerta para los aparatos electrodomésticos

Los transistores de IKWH50N65WR6XKSA1 IGBT los APARATOS ELECTRODOMÉSTICOS 14Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 invierte IGBTs que conduceInfineon T.....
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Soporte superficial IXBT14N300HV del módulo 3000V 38A 200W del transistor de TO-268HV IGBT

Soporte superficial TO-268HV (IXBT) de IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 WIXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ que conduce reverso IGBTsIXYS IXBx14N300HV BiM
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Transistor de poder de IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W a través del agujero TO-264

IXYK110N120A4 IGBT pinta 1200 V 375 A W 1360 a través del agujero TO-264 (IXYK)Foso 650V de IXYS a 1200V XPT™ GenX4™ IGBTsEl foso 650V de IXYS a 120.....
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módulo del transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo del foso IGBT AFGHL40T120RLD

Parada de campo del foso de AFGHL40T120RLD IGBT 1200 V 48 A 529 W a través del agujero TO-247-3 Cualidad de producto Valor del
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Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

IMBG120R350M1HXTMA1 soporte PG-TO263-7-12 de la superficie 65W (Tc) del canal N 1200 V 4.7A (Tc)Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Los
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