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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Parada de campo del foso IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W a través del agujero

Categorías de Producto

Circuitos integrados ICs

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Lógica programable ICs

 [15]

Diodo Zener IC

 [16]

RF Pin Diode

 [16]

Diodo del componente electrónico

 [17]

Retransmisiones de estado sólido

 [15]

Módulo del transistor de IGBT

 [20]

Conectores de la entrada-salida

 [15]

Condensadores de cerámica de múltiples capas

 [10]

Acoplador óptico de la impulsión de la puerta

 [16]

Micrófono de Digitaces Mems

 [11]

Fan Tubeaxial

 [10]

Botón de la pila del dióxido del manganeso del litio

 [10]

Obstrucciones comunes del modo

 [10]

Retransmisiones de fines generales

 [18]

Conectores estándar sub de D

 [10]

Gestión ICs del poder

 [12]
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China Parada de campo del foso IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W a través del agujero wholesale
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Parada de campo del foso IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W a través del agujero
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Number modelo :IXYX110N120B4
Cantidad de orden mínima :50pcs
Capacidad de la fuente :1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :340 A
Actual - colector pulsado (Icm) :800A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :2.1V @ 15V, 110A
Potencia - Máx. :W 1360
Carga de la puerta :340 nC
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IXYX110N120B4 IGBT 1200 V 340 A W 1360 a través del agujero PLUS247™-3

Cualidad de producto Valor del atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistores de IGBT
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
Solo
1200 V
- 30 V, + 30 V
340 A
W 1360
- 55 C
+ 175 C
GEN 4 de 1200V XPTTM
Tubo
Marca: IXYS
Corriente de colector continua Ic máxima: 340 A
Tipo de producto: Transistores de IGBT
30
Subcategoría: IGBTs
Marca registrada: XPT
Etiquetas de productos:

regulator argon

argon regulator

trench gate mosfet
Carro de la investigación 0

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