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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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transistor de poder del mosfet

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transistor de poder del mosfet

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Inductor de la gota de ferrita

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Piezas del interruptor de eje de balancín

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 transistor de poder del mosfet
China Frecuencia del transistor de poder del Mosfet de BLF178XR 28dB 50V 40mA 108MHz for sale

Frecuencia del transistor de poder del Mosfet de BLF178XR 28dB 50V 40mA 108MHz

Mosfet LDMOS (dual), fuente común 50V 40mA 108MHz 28dB 1400W SOT539A de BLF178XR RF 1. 1 descripción general Un transistor 1400 de poder extremadament...
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China Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto for sale

Rendimiento del FET 93.7W del transistor del RF del poder más elevado de la banda X de FLM0910-25F alto

FET internamente hecho juego de la banda X del transistor de poder de FLM0910-25F RF DESCRIPCIÓN El FLM0910-25F es un FET del GaAs del poder que está ...
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China Reemplazo de banda ancha del transistor del canal N de MRF151G RF para BLF278 for sale

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Transistor 500W, 50V, reemplazo de banda ancha del efecto de campo del poder de MRF151G RF del MOSFET del canal N 175MHz para BLF278 Características 1...
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China Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF for sale

Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF

El tipo transistor del MOSFET RD100HHF1 diseñó específicamente para los usos de los amplificadores de poder más elevado del HF CARACTERÍSTICAS • Poder ...
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China Transistor de poder del Mosfet RA03M8087M-101 para el paquete de la radio portátil H46S for sale

Transistor de poder del Mosfet RA03M8087M-101 para el paquete de la radio portátil H46S

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China Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V for sale

Transistor de poder del Mosfet de RA30H1317M para la radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V

Transistor del Mosfet del poder de RA30H1317M para el uso de radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIPCIÓN El RA30H1317M es un módulo del amplificador ...
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China Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS for sale

Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS

Mosfet LDMOS 50V (dual) 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF Estos altos dispositivos la aspereza se diseñan para el uso en alto ......
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China vatio MRFE6VP5600HR5 del transistor LDMOS 600 del Mosfet de 100mA 230MHz RF for sale

vatio MRFE6VP5600HR5 del transistor LDMOS 600 del Mosfet de 100mA 230MHz RF

Mosfet LDMOS 50V (dual) 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230 de MRFE6VP5600HR5 RF Estos altos dispositivos la aspereza se diseñan para el uso en alto VSWR ....
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China transistor de poder del Mosfet de 50V 350mA 18 W LDMOS MRF6V3090NBR1 22dB for sale

transistor de poder del Mosfet de 50V 350mA 18 W LDMOS MRF6V3090NBR1 22dB

Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4 de MRF6V3090NBR1 RF Diseñado para la difusión y los usos de banda ancha aeroespaciales comerciales ...
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China Transistor del carburo de silicio del transistor de poder de RD06HVF1 RF 175MHz 6W para los amplificadores for sale

Transistor del carburo de silicio del transistor de poder de RD06HVF1 RF 175MHz 6W para los amplificadores

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silicio 175MHz 6W para aplicaciones de amplificadores Descripción de RD06HVF1 RD06HVF1 es un transistor tipo .....
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