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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF

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Chip CI del circuito integrado

 [1016]

Chip CI programable

 [57]

chip CI electrónico

 [139]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [56]

transistor de poder del mosfet

 [86]

Condensador de fines generales

 [48]

Módulo de alimentación IGBT

 [26]

interruptor de la retransmisión del poder

 [22]

Inductor de la gota de ferrita

 [14]

Oscilador superficial del soporte

 [16]

Piezas del interruptor de eje de balancín

 [6]

chip de alta potencia led

 [6]

Varistor

 [4]
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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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China Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF wholesale
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Transistor de poder del Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para los amplificadores de poder más elevado del HF
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Número de modelo :RD100HHF1
Lugar del origen :JP
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 pedazos por año
Plazo de expedición :1-2 días hábiles
Detalles de empaquetado :embalaje estándar de la fábrica
Drene al voltaje de la fuente :50V
Puerta al voltaje de la fuente :20V
Disipación del canal :176.5W
Energía entrada :12.5W
Drene actual :25A
Temperatura de almacenamiento :-40 a +175°C
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