Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS

Mosfet LDMOS 50V (dual) 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF

Estos altos dispositivos la aspereza se diseñan para el uso en alto VSWR las aplicaciones móviles industriales (los excitadores incluyendo de laser y del plasma), de la difusión (análoga y digital), aeroespaciales y de radio/de la tierra. Son diseños incomparables de entrada y de la salida permitiendo la utilización amplia de la gama de frecuencia, entre 1,8 y 600 megaciclos

Características

• Haber entrado incomparable y salida permitiendo la utilización amplia de la gama de frecuencia

• El dispositivo puede ser solo usado--Terminado o en un empuje--Configuración del tirón

• Calificado hasta un máximo de la operación de 50 VDD

• Caracterizado a partir 30 V a 50 V para el rango de potencia extendido

• Conveniente para el uso linear con perjudicar apropiado

• Protección integrada del ESD

• Mayor puerta negativa--Gama del voltaje de la fuente para la operación mejorada de la clase C

• Caracterizado con el equivalente de la serie grande--Parámetros de la impedancia de la señal

• RoHS obediente

• NI--780--4 en cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades, anchura de la cinta de 56 milímetros, carrete de 13 pulgadas. Para las opciones de la cinta R5 y del carrete, vea P. 14.

• NI--780S--4 en cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades, anchura de la cinta de 32 milímetros, carrete de 13 pulgadas. Para las opciones de la cinta R5 y del carrete, vea P. 14.