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p mosfet conmutador de lado alto

1 - 20 Resultados para p mosfet conmutador de lado alto A partir de 32 Productos

Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...

Time : Dec,10,2024
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Mosfet de alta potencia multipropósito para conmutación de resonancia de conmutación de etapas PWM Características • Cambios rápidos • Baja resisten......

Time : Mar,31,2025
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Descripción del producto: MOSFET de alto voltaje Los MOSFET de alto voltaje son MOSFETs FRD HV integrados que ofrecen clasificaciones de voltaje ult...

Time : Mar,21,2025
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rectificador de alta frecuencia de la fuente de alimentación de 12volt que cambia 300Amp DC IGBT La unidad de la fuente de alimentación (también ......

Time : Aug,27,2023
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Tipo epitaxial del silicio NPN del módulo del transistor de poder de TOSHIBA (Cuatro transistores de poder de Darlington en uno) MP4104...

Time : Jun,02,2024
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Transformador de la impulsión de la puerta de EP5 EPA4493G-LF SMPS 250uH Características: ●El transformador que cambiaba de alta velocidad para l...

Time : Nov,29,2024
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Time : Mar,18,2025
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Modulos IGBT para automóviles GCMX080B120S1-E1 Modulos MOSFET de alta velocidad de conmutación de energía [MJD ventaja] + 15 años de experiencia e...

Time : Mar,11,2025
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MOSFET bajo del canal N de la resistencia del En-estado de los usos de la transferencia de la Ultraalto-velocidad de 2SK1423 K1423 TO3P Lista de otros ......

Time : Nov,03,2023
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Descripción general: El JY16M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistenci......

Time : Sep,20,2024
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Las RenesasLas condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:Componentes electrónicos Las condiciones de las...

Time : Jun,22,2025
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Gama de productos Usos que cambian del MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de los transistores de los semiconductores de IDiscrete Canal N 80 V,...

Time : Nov,26,2024
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Time : Nov,24,2024
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Time : Dec,04,2024
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Time : Nov,28,2024
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ISO9001.pdf (en inglés) IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:Aplicación:Ut......

Time : Jun,22,2025
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Time : Jul,11,2025
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Integraciones OFF-LINE del poder del TIEMPO DE RETORNO 8DIP del INTERRUPTOR de LNK364PN IC Detalles del producto Familia económica de ener...

Time : Dec,09,2024
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Time : Nov,25,2024
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