Tipo epitaxial del silicio NPN del módulo del transistor de poder de TOSHIBA
(Cuatro transistores de poder de Darlington en uno)
MP4104
Usos de la transferencia del poder más elevado
Impulsión del martillo, impulsión del motor del pulso y transferencia de la carga inductiva
• Pequeño paquete por el moldeado lleno (pernos del SORBO 10)
• Alta disipación de poder del colector (operación 4-device): PT = 4 W (TA = 25°C)
• Alta corriente de colector: IC(DC) = 4 A (máximos)
• Alto aumento actual de DC: hFE = 2000 (minuto) (CEde V = 2 V, IC = 1,5 A)
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)
| Características |
Símbolo |
Clasificación |
Unidad |
| voltaje de la Colector-base |
VCBO |
120 |
V |
| voltaje del Colector-emisor |
VCEO |
100 |
V |
| voltaje de la Emisor-base |
VEBO |
6 |
V |
| Corriente de colector |
DC |
IC |
4 |
A |
| Pulso |
ICP |
6 |
A |
| Corriente baja continua |
IB |
0,5 |
A |
| Disipación de poder del colector (operación 1-device) |
PC |
2,0 |
W |
| Disipación de poder del colector (operación 4-device) |
PT |
4,0 |
W |
| Temperatura de empalme |
Tj |
150 |
°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
Stgde T |
−55 a 150 |
°C |
Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.
Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).
Unidad industrial de los usos: milímetro
Peso: 2,1 g (tipo.)
Configuración del arsenal
Marcado
