Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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JY16M N MOSFET de potencia de modo de mejora de canal para aplicaciones de conmutación de energía

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Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MrIvanzhu
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JY16M N MOSFET de potencia de modo de mejora de canal para aplicaciones de conmutación de energía

Preguntar último precio
Número de modelo :JY16M
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :50pcs (muestra disponible)
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10000pcs por mes
Plazo de expedición :dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
Detalles de empaquetado :habitación para la exportación
Voltaje de la Puerta-fuente :±30V
Corriente continua del dren :4A (Ta=25°C)
Corriente pulsada del dren :16A
Disposición máxima de energía :33 W
Color :Negro
Shap :Cuadrado
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Descripción general:

 

El JY16M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia con una alta clasificación de avalancha repetitiva.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la aplicación de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.

 

Características:

 

● 600V/4A, RDS ((ON) =2.6Ω@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Excelente paquete para una buena disipación de calor

 

Aplicación:

 

● Iluminación
● Fuentes de alimentación de alta eficiencia en modo conmutador

 

Descripción del PIN:

JY16M N MOSFET de potencia de modo de mejora de canal para aplicaciones de conmutación de energía

 

Calificaciones máximas absolutas ((Ta=25°C, salvo que se indique lo contrario):

 

El símbolo Parámetro Calificación Unidad
V.D.S. Voltado de la fuente de drenaje 600 V.
V.GS Voltado de la fuente de la puerta ± 30 V.
Yo...D Corriente de drenaje continua Tc=25°C 4 A. No
Tc=100°C 2.9
Yo...El DM Corriente de drenaje pulsado 16 A. No
PD Disposición máxima de energía 33 No
T.J.T.Sector de la salud Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento -55 ~ + 150 °C
REl JJC Resistencia térmica-junción con el estuche 1.56 °C/W
REl TJA Resistencia térmica-junción con el ambiente 62 °C/W

 

TO220F-3 Esquema del paquete:

JY16M N MOSFET de potencia de modo de mejora de canal para aplicaciones de conmutación de energía

 

SÍMBOLO En el caso de los En el caso de las empresas de la Unión Europea SÍMBOLO En el caso de los En el caso de las empresas de la Unión Europea
En el caso de las Nombre Se trata de: En el caso de las Nombre Se trata de: En el caso de las Nombre Se trata de: En el caso de las Nombre Se trata de:
A. No 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 El 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 E1 y 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 - ¿ Qué? 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C. Las 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250REF. ¿Qué quiere decir? 0.098REF. ¿Qué quiere decir?
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
El DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 - ¿ Qué? 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
- ¿ Por qué? 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 T1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
 
Para más información, póngase en contacto directamente con nosotros por correo electrónico: ivanzhu@junqitrading.com
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