n channel mos field effect transistor

Circuitos integrados IC original y nuevo,CJ2304 SOT-23 Transistor de efecto de campo MOS de canal N CJ/Changdian original [¿Cuánto?o ¿Qué estamos h......

Transistor del Mosfet del poder del canal N, transistor de efecto de campo del MOS 2SK3561 Tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de ef...

Transistor de efecto de campo nuevo y original del MOSFET de SMD SOT-23 LP3407LT1G Productos Descripción: 1. Estos dispositivos son Pb−Free,...

FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO El númer...

TK13A60D (STA4, Q, M) transistor de efecto de campo de TOSHIBA 13A 600V MOS del canal N de 0,33 ohmios Canal N MOS Type del silicio del transistor de...

Gama de productos Fets del P-canal 30v 4a Sot23 del Mosfet del poder del transistor de efecto de campo Ao3401a solos El AO3401A utiliza tecnología a...

Piezas de la máquina del cigarrillo del transistor de Mark King Size Field Effect del bebé Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado...

15A 600V 274mΩ TO-220F Transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico MOSFET de súper unión de canal N No de la parte: LC60R......

tubo del MOS del transistor de poder de 800V CoolMOSª P7 IPA80R1K4P7 Características • Mejor-en-clase FOM RDS (encendido) * Eoss; Qg...

Descripción del producto: El MOSFET de alta potencia es un tipo de MOSFET de canal N que se utiliza ampliamente para aplicaciones como inversor sola...

Onsemi de NDT3055L/transistor de Fairchild - canal N, nivel de la lógica, efecto de campo de EnhancementMode descripción 1.GeneralEste effecttran...

Transistor 500W, 50V, reemplazo de banda ancha del efecto de campo del poder de MRF151G RF del MOSFET del canal N 175MHz para BLF278 Características 1......

PMDXB600UNE Transistores MOSFET de trinchera de canal N dual de 20 V Paquete 6-XFDFN Descripción del producto de PMDXB600UNE PMDXB600UNE es...

Descripción del producto: Sensor piroeléctrico de la serie PYS 3398 Detector piroeléctrico infrarrojo de doble canal con filtro Características: El......

MOSFETS del transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF El PD85035-E es un canal N de la fuente común, poder lateral del RF del efect...

♦ Correo electrónico: miya@mvme.cn ♦ Skype: miyazheng520 ♦ QQ: 2851195450 ♦ ¿Cuál es la aplicación: 86-18020776792 Información general...

Se aplicarán los siguientes requisitos: ElSe aplicarán los siguientes requisitos:es un transistor de efecto de campo (MOSFET) ampliamente utilizado...