FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado
Number modelo:FDB2614
Cantidad de orden mínima:>=1pcs
Capacidad de la fuente:30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Plazo de expedición:2-3Days
Detalles de empaquetado:Rollo de cinta (TR) Cinta de corte (CT)
Lugar del origen:China
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Miembro activo
Hong kong China
Dirección:
B5 plano 1/F., Manning Ind. Edificio, 116-118 cómo Ming Street, pinzas de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
El número de parte FDB2614 es fabricado por FAIRCHILD y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.
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PROPIEDADES DEL PRODUCTO
Situación del producto | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 200 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 62A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 27mOhm @ 31A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 99 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 7230 PF @ 25 V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 260W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | ² PAK (TO-263) DE D |
Paquete/caso | TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
Número bajo del producto | FDB261 |
FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado
Carro de la investigación
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