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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Ciudad:hong kong
País/Región:china
Persona de contacto:MrTom Guo
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China FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado wholesale
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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado
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Number modelo :FDB2614
Cantidad de orden mínima :>=1pcs
Capacidad de la fuente :30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Plazo de expedición :2-3Days
Detalles de empaquetado :Rollo de cinta (TR) Cinta de corte (CT)
Lugar del origen :China
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
De potencia de salida :Estándar
Protocolo :Estándar
Voltaje de funcionamiento :4V
Temperatura de funcionamiento :-55 ℃--℃ 150
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FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte FDB2614 es fabricado por FAIRCHILD y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre FDB2614 detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad FDB2614 a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
200 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
62A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
7230 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
² PAK (TO-263) DE D
Paquete/caso
TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Número bajo del producto
FDB261

FDB2614 TO-263 microprocesador nuevo y original de MOS Field Effect Transistor Brand del circuito integrado

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Etiquetas de productos:

2sc5200 transistor detail

2sc5200 equivalent transistor

bd249c transistor
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