Transistor del Mosfet del poder del canal N, transistor de efecto de campo del MOS 2SK3561

 
 
Transistor del Mosfet del poder del canal N, transistor de efecto de campo del MOS 2SK3561
 

Tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de efecto de campo de TOSHIBA (π-MOSVI)

2SK3561
 
Usos del recorte regulador
 
• Dren-fuente baja EN resistencia: RDS (ENCENDIDO) = 0.75Ω (tipo.)
• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 6.5S (tipo.)
• Corriente baja de la salida: IDSS = μA 100 (VDS = 500 V)
• Modo del aumento: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)
 
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).
 
Características termales

Nota 1: Asegúrese de que la temperatura del canal no exceda 150℃.
Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 8,3 Mh, IAR = 8 A, RG = 25 Ω
Nota 3: Grado repetidor: anchura de pulso limitada por temperatura máxima del canal
Este transistor es un dispositivo electrostático-sensible. Dirija por favor con cautela.
 
  
                                                            Peso: 1,7 g (tipo.)
 
 
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