último transistor

Descripción del vídeo Descripción del producto Especificación el uso Negocios y educación lugar de origen China. estado...

Transistor de poder de HMC199MS8ETR RF para la alta ganancia y la eficacia Transistores de poder de HMC199MS8ETR RF Descripción de producto:...

Mosfet del canal N de los transistores de poder de Npn del silicio de Infineon IRFS4227TRLPBF 200V 62A 26mOhm 70nC Qg Usos • Etapas de PWM difícilm...

Consiga sus manos en el último BUP403: ¡Pros - y - contra!Exploración de las partes superiores y de las desventajas del BUP403 ¿Usted está consid...

Regulador de voltaje del terminal del Pin LM79L12ACZ 3 del zócalo 3 del transistor Descripción general Los LM320L/LM79LXXAC se dobla...

Descripción general de AlphaMOS del canal N de AOD508/AOI508 30V • La última tecnología del MOSFET del poder del foso • RDS bajo mismo (encendido) en ......

Chip de circuito integrado IPBE65R230CFD7AATMA1 Transistores de montaje de superficie Descripción del productoLos datos de las pruebas de seguridad...

MOSFETS del transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF El PD85035-E es un canal N de la fuente común, poder lateral del RF del efect...

Transistor bipolar bipolar TIP41C del solo transistor NPN 100V 65W 6A Productos Descripción: 1.TIP41C solo transistor bipolar, NPN, 100 V, 65 W, 6 A...

Transistores de alta frecuencia del canal N del MOSFET del transistor del triodo de TIP120 Npn150V 104A TO220AB TIP120 Producto Paramenters...

Transistor bipolar aislado transistor de la puerta de IGBT con el diodo suave ultrarrápido de la recuperación Descripción de producto: Transistor b...

BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores El fabricante: Diodos de aluminio Categoría de producto: Mejora del canal...

Nuevos componentes electrónicos originales del circuito integrado SAK-TC397XX del chip CI de SAK-TC397XX-256F300S BD BGA-29, transistores Apen...

Array...

...

Corte Tubo-lleno automático de la ventaja del transistor que forma la máquina Introducción: RS-909B está especialmente para la formación t...

Transistor bipolar planar epitaxial d1047 b817 del poder más elevado NPN Descripción de producto DescripciónEl dispositivo es un transistor de NPN man......

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silicio 175MHz 6W para aplicaciones de amplificadores Descripción de RD06HVF1 RD06HVF1 es un transistor tipo ......

Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P Descripciones: La serie del UFD de Fairc...