IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
Number modelo:IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Cantidad de orden mínima:1 pedazo
Condiciones de pago:T/T
Plazo de expedición:2~8 días laborables
Marca:Infineon Technologies/rectificador internacional IOR
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Miembro activo
Guangzhou Guangdong China
Dirección:
Sitio 2201-03, sitio 2206, Changfeng 1 internacional, no. 96, Lixin No. 12 camino, distrito de Zengcheng, ciudad de Guangzhou, provincia de Guangdong
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Dentro de 47 Horas
Detalles del producto
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Descripción de producto
MOSFETs de los FETs de los transistores TO-220AB HEXFET de IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Canal N 180A 200W de los transistores a través de los MOSFETs de los FETs del agujero TO-220AB HEXFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descripción:
Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de
proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área
del silicio.
Las características adicionales de este producto son una
temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad
rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha.
Estas características combinan para hacer este diseño un
dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una
amplia variedad de usos.
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) con la especificación del agujero
TO-220AB:
Categoría | Productos de semiconductor discretos |
Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Paquete | Tubo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 40 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 180A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4340 PF @ 25 V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete/caso | TO-220-3 |
Número bajo del producto | IRF1404 |
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
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