Transistor de poder de HMC199MS8ETR RF para la alta ganancia y la eficacia
Transistores de poder de HMC199MS8ETR RF
Descripción de producto:
El HMC199MS8ETR es un transistor de poder GaN-basado del RF que utiliza la última tecnología del nitruro del galio (GaN). Se diseña para el uso en usos del poder más elevado hasta 2-500MHz, y proporciona funcionamiento y eficacia excepcionales. Tiene un aumento del poder más elevado de 28.5dB y un máximo de potencia de salida de 200W. El HMC199MS8ETR ofrece un diseño termal de alto rendimiento que permita la disipación de calor excelente y permita la operación en los niveles de poder más elevado.
Características y ventajas:
- Aumento del poder más elevado de 28.5dB
- Poder de la salida hasta 200W
- Eficacia alta y funcionamiento excepcional
- Diseño termal de alto rendimiento
- Tamaño compacto y peso ligero
- Gama de frecuencia ancha de 2-500MHz
- Operación da alta temperatura
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