Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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A través del chip CI del circuito integrado de la transferencia del agujero, MOSFET del poder del canal N 110 vatios

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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A través del chip CI del circuito integrado de la transferencia del agujero, MOSFET del poder del canal N 110 vatios

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Número de modelo :STM32F051K6U6
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 50PCS/Standard
Tipo del FET :Canal N
Drene al voltaje de la fuente :60V
Conduzca el voltaje :10V
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 175°C
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MOSFET 60V 60A 110W (Tc) del poder del canal N STP65NF06 con el uso de la transferencia del agujero

Descripción

Este MOSFET del poder es el último desarrollo del proceso tira-basado ™ único del tamaño de característica de STMicroelectronics “solo”. El transistor resultante muestra la densidad que embala extremadamente alta para el onresistance bajo, las características rugosas de la avalancha y los pasos menos críticos de la alineación por lo tanto una reproductibilidad de fabricación notable.

Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 60A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1700pF @ 25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C

 

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