Productos proveedores Sign in Register

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Miembro activo
7 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitud de una cuota
Español
Casa / Productos / Mos Field Effect Transistor /

Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
Contacta
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
Ver detalles de contacto
Contacta
China Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃ wholesale
  • China Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃ wholesale

Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃
Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :50N06P/T
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto
MOSFET del modo del aumento del canal N de 50N06P/T 200V

 

Resumen del producto

 

El 18N20X utiliza tecnología plana avanzada para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
 
Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃Temperatura de empalme material de 50N06P/T 60V Mos Field Effect Transistor Silicon 150℃
Etiquetas de productos:

metal oxide varistor specifications

sic mosfet ratings

metal oxide varistor sizing
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4