Casa / Productos / Transistor de poder del silicio / Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor /

show pictures

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Contacta

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

Ver detalles de contacto

Contacta

Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor

Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor

Productos detallados

El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos CARACTERÍSTICA salida baja del  alta conductancia del  Marcado: A11 ...

Ver productos detallados →

Etiquetas de productos:

Limitador de corriente Hoja de datos de energía mosfet p mejora del modelo mosfet

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4