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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor

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Triodo del semiconductor

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor wholesale
  • China Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor wholesale

Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor
Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBD1501A
Type :SWITCHING DIODESOD
FEATURE :Low Leakage
Power mosfet transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
DC Blocking Voltage :200v
Product ID :MMBD1501A
Power Dissipation :350mW
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El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
salida baja del 
alta conductancia del 

Marcado: A11

Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor

 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

 Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor
 


 
 
 
Characterisitics típico  
 
 
Transistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptorTransistor de gran intensidad de MMBD1501A, salida baja del transistor del interruptor



 
 
 
 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 

Etiquetas de productos:

current limiter ic

power mosfet datasheet

p enhancement mosfet model
Carro de la investigación 0

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