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A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

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Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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China A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad wholesale

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A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :A42

Collector-Base Voltage :310V

Emitter-Base Voltage :5V

Tstg :-55～+150℃

Material :Silicon

Collector Current :600 mA

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SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor

Alto voltaje de avería

Marcado: D965A

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	310	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	305	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	5	V
I_C	Corriente de colector - continua	200	mA
ICM	Corriente de colector - pulsada	500	mA
P_C	Disipación de poder del colector	500	mW
RθJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	250	℃/W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100ΜA, ES DECIR =0	310			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	305			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =100ΜA, I_C=0	5			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=200V, ES DECIR =0			0,25	µA
	ICEX	V_CE=100V, V_X=5V			5	µA
		V_CE=300V, V_X=5V			10	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	µA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=10V, I_C=1mA	60
	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=10mA	100		300
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=30mA	75
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,2	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,9	V
Frecuencia de la transición	f_T	VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz	50			Megaciclo

Características típicas

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	1,400	1,600	0,055	0,063
b	0,320	0,520	0,013	0,020
b1	0,400	0,580	0,016	0,023
c	0,350	0,440	0,014	0,017
D	4,400	4,600	0,173	0,181
D1	1,550 REFERENCIA.		0,061 REFERENCIAS.
E	2,300	2,600	0,091	0,102
E1	3,940	4,250	0,155	0,167
e	1,500 TIPO.		0,060 TIPOS.
e1	3,000 TIPO.		0,118 TIPOS.
L	0,900	1,200	0,035	0,047

Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

Cinta y carrete de SOT-89-3L

Etiquetas de productos:

silicon npn power transistor

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mosfet power transistors

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