Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Años
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

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Number modelo :JDCD01-001-005
Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Dimensiones :² de 5 x de 10m m
Grueso :350 ±25µm
Orientación :Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0
TTV :µm del ≤ 10
Arco :- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Densidad macra del defecto :² 0cm⁻
Área usable :> el 90% (exclusión del borde)
Nombre de producto :GaN Epitaxial Wafer
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0="">


Descripción

La densidad de poder se mejora grandemente en los dispositivos del nitruro del galio comparados al silicio unos porque GaN tiene la capacidad de sostener frecuencias que cambian mucho más altas. También tiene una capacidad creciente de sostener temperaturas elevadas.

Substratos libres de un GaN de la cara
Artículo GAN-FS-UNO-U-s GAN-FS-UNO-n-s GAN-FS-UNO-SI-s

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laserObservaciones:

Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm="">

Dimensiones 5 x 10 milímetros2
Grueso µm 350 ±25
Orientación

Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5°

Un avión (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2°

Tipo de la conducción N-tipo N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
ARCO - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Front Surface Roughness

< 0="">

o < 0="">

Aspereza superficial trasera

0,5 μm ~1,5

opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0="">

Densidad de dislocación A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s
Densidad macra del defecto 0 cm2s
Área usable > el 90% (exclusión del borde)
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno

Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

Si ±0.5°del δ1 = 0, después un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS es 0 ±0.5°.

Si δ2 = - 1 ±0.2°, después un avión (11-20) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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