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SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm
Descripción
Las obleas finas de Epi son de uso general para los dispositivos del MOS del borde delantero. Epi grueso o las obleas epitaxiales de varias capas se utiliza para los dispositivos principalmente para controlar energía eléctrica, y están contribuyendo a mejorar la eficacia del consumo de energía.
El substrato del nitruro del galio (GaN) es un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente durante muchos años. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior.
Estas obleas de GaN realizan los diodos láser ultra-brillantes sin precedentes y los dispositivos de poder de gran eficacia para el uso en fuentes de luz del proyector, inversores para los vehículos eléctricos, y otros usos.
| Substratos libres de un GaN de la cara | ||||
| Artículo | GAN-FS-UNO-U-s |
GAN-FS-UNO-n-s |
GAN-FS-UNO-SI-s |
Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensiones | 5 x 10 milímetros2 | |||
| Grueso | µm 350 ±25 | |||
| Orientación |
Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 ±0.5° Un avión (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2° |
|||
| Tipo de la conducción | N-tipo |
N-tipo |
Semiaislante | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
|||
| Aspereza superficial trasera |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
|||
| Densidad de dislocación | A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s | |||
| Densidad macra del defecto | 0 cm2s | |||
| Área usable | > el 90% (exclusión del borde) | |||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno | |||
Apéndice: El diagrama del ángulo del miscut
Si ±0.5°del δ1 = 0, después un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS es 0 ±0.5°.
Si δ2 = - 1 ±0.2°, después un avión (11-20) del ángulo hacia C-AXIS es - 1 ±0.2°.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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