Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
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avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Xiwen Bai (Ciel)
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avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

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Lugar del origen :Suzhou China
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000pcs/Month
Plazo de expedición :3-4 días de la semana
Detalles de empaquetado :Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Number modelo :JDCD01-001-001
Dimensiones :10x10,5 mm²
Grueso :350 ±25µm
Orientación :Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
TTV :≤ el 10µm
Arco :- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
Densidad macra del defecto :² 0cm⁻
Área usable :> el 90% (exclusión del borde)
Nombre de producto :GaN Epitaxial Wafer
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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la C-cara del ² de 10*10.5m m del substrato de GaN < 0="">


Descripción
Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para los usos del LD (violeta, azul y verde).
Además, el desarrollo ha progresado para el poder y la aplicación para dispositivos electrónica de alta frecuencia.

10 x 10,5 mm2 GaN Substrates libre
Artículo GaN-FS-C-U-S10 GaN-FS-C-N-S10 GaN-FS-C-SI-S10

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

Observaciones:
Un ángulo circular del arco (R < 2="" mm="">

Dimensiones 10 x 10,5 milímetros2
Grueso µm 350 ±25
Orientación Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°
Tipo de la conducción N-tipo N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
Arco - 10 µm del ≤ 10 del ARCO del ≤ del µm
Aspereza superficial de la cara del GA < 0=""> o < 0="">
Aspereza superficial de la cara de N 0,5 μm ~1,5
opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0="">
Densidad de dislocación A partir de 1 x 105 a 3 x 106 cm2s (calculados por el CL) *
Densidad macra del defecto 0 cm2s
Área usable > el 90% (exclusión del borde)
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en envase de 6 PCS, bajo atmósfera del nitrógeno

estándares del *National de China (GB/T32282-2015)

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

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