El transistor del Mosfet del canal N del OEM, pequeña DESCRIPCIÓN del transistor del Mosfet del canal N del modo del aumento del interruptor del ......
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4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET de alta tensión de conmutación rápida para la fuente de alimentación en modo de conmutación ParteNúmero...
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IPP045N10N3GXKSA1 Potencia MOSFET MOSFET de canal electrónico para aplicaciones de conmutación Tipo FET...
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MOSFET del canal N 100V 33A 130W D2PAK de IRF540NS con la transferencia rápida Características Tecnología de proceso avanzada En-resistencia ultrabaja ......
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MOSFET del poder del uso 3.5A 100V 3.7Ohm de la transferencia del Mosfet STF5NK100Z del canal N 1000V Usos Uso que cambia Descripción La nueva...
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INTERRUPTOR PDP IRFP4229PbF Caracteristicas • Tecnología avanzada de procesos • Parámetros clave optimizados para las aplicaciones Sustain de...
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MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V Descripción general El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excel...
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JY14M N MOSFET de potencia de modo de mejora del canal para el conductor del motor BLDC Descripción general El JY14M utiliza las últimas técnicas...
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MOSFET del poder de JY8N5M N Channel Enhancement Mode para la fuente de alimentación del modo del interruptor Descripción generalEl producto utiliza...
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MOSFET del MODO del AUMENTO del CANAL N 100V EN DPAK RESUMEN V (BR) DSS=100V: RDS (encendido) =0.085; Identificación =7.7A DESCRIPCIÓN Est...
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Interruptor de control de Mosfet PLC PLC, módulo de relé de 4 canales, módulo de salida PLC Diferencia entre salida de transistor PLC y salida de re......
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Descripción del producto: Power IC Chip es un producto confiable y rentable especialmente diseñado y fabricado por Toshiba.lo que lo convierte en un...
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Parámetros del producto El fabricante:EstándarEmbalaje:El tuboCategoría de producto:MOSFETMarca:normalidadLa norma RoHS:DetallesConfiguración:No ca......
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Descripción del producto: El MOSFET de alta potencia es un tipo de MOSFET de alta eficiencia para aplicaciones de alto voltaje.convertidor de alta t...
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Canal N 600 V, tipo del MOSFET del transistor de poder del Mosfet STO33N60M6 de 105 mOhm., característica de 26 A • Pérdidas que cambian reducidas • ......
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Se recomienda el uso de un método de medición de los efectos de los gases de efecto invernadero. Atributo del producto Valor del atributo El fa...
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Transistores discretos de los MOSFETs de los productos de semiconductor IPDQ60R040S7XTMA1 Descripción de producto de IPDQ60R040S7XTMA1 Los...
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