IPP045N10N3GXKSA1 Potencia MOSFET
MOSFET de canal electrónico para aplicaciones de conmutación
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Tipo FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx.) @ Id.
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Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
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Función FET
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Disipación de energía (máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de montaje
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Paquete de dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja
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Descripción:
El MOSFET IPP045N10N3GXKSA1 está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.Es un MOSFET de modo de mejora de canal N con una energía de avalancha clasificada de 70 mJ, una clasificación de corriente de drenaje de 45 A, una resistencia en estado de fuente de drenaje de 0,010 ohmios y una clasificación de carga de puerta de 31 nC.También tiene un voltaje de umbral de 2,0 V y una carga de puerta total de 46 nC.
Además, cuenta con un voltaje de fuente de drenaje máximo de 45 V, una resistencia de estado de encendido de fuente de drenaje máxima de 0,013 ohmios y un voltaje de fuente de puerta máximo de 20 V.El MOSFET está alojado en un paquete PowerPAK SO-8N, que cumple con RoHS. Este es un MOSFET de canal N con un voltaje de fuente de drenaje máximo de 100 V.Tiene un RDS(on) de 0.45Ω y un ID de 45A.Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Características:
• Voltaje máximo de fuente de drenaje: 100V
• RDS (activado): 0,45 Ω
• DNI: 45A
• Velocidad de conmutación rápida
• Tensión de umbral de compuerta baja
• Baja resistencia en estado activo
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