INTERRUPTOR del mosfet PDP del poder de la transferencia del transistor del Mosfet del poder de IRFP4229PBF

INTERRUPTOR PDP IRFP4229PbF

Caracteristicas

• Tecnología avanzada de procesos

• Parámetros clave optimizados para las aplicaciones Sustain de PDP, recuperación de energía y conmutación

• Baja E _PULSE Rating para reducir la Disipación de Energía en las Aplicaciones de Sostenimiento, Recuperación de Energía y Interruptor de Paso de PDP

• Baja _G para respuesta rápida

• Alta capacidad de corriente de pico repetitiva para una operación confiable

• Tiempos cortos de caída y subida para conmutación rápida

• 175 ° C Temperatura de conexión para una mayor robustez

• Capacidad de avalanchas repetitivas para robustez y fiabilidad

Descripción

Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado específicamente para Sustain; Recuperación de energía y aplicaciones de conmutador de paso en paneles de visualización de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia por área de silicio y un bajo índice de E _PULSE . Las características adicionales de este MOSFET son temperatura de la unión operativa de 175 ° C y alta capacidad repetitiva de la corriente de pico. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de conducción de PDP.

Índices absolutos máximos

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