Transistor de poder de HMC915LP4ETR RF - eficacia alta del alto rendimiento
Especificaciones de producto:
- Gama de frecuencia: 9-10GHz
- Aumento del poder: DB 13
- De potencia de salida: dBm 23
- Voltaje de fuente: +5V
- Consumo actual: 1.2A
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Impedancia de entrada: 50 ohmios
- Paquete: 4m m x 4m m QFN
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Situación del producto
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Tipo del RF
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Frecuencia
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Número de mezcladores
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Aumento
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Figura de ruido
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Cualidades secundarias
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Actual - fuente
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Voltaje - fuente
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Montaje del tipo
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Paquete/caso
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Número bajo del producto
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