Transistor de poder de SI4703-C19-GMR RF
Descripción de producto:
El SI4703-C19-GMR es un transistor de poder avanzado del RF diseñado usando un proceso de alto voltaje de BiCMOS. Este dispositivo es conveniente para los usos de alta potencia, de gran eficacia, y de poco ruido en las bandas del HF y del VHF. Ofrece un ancho de banda amplio, un poder de alto rendimiento, y una figura de poco ruido. El SI4703-C19-GMR es conveniente para el uso en una variedad de usos del RF incluyendo los amplificadores del RF, amplificadores de potencia del RF, transmisores de alta potencia del RF, y más.
Características dominantes:
- Operación de banda ancha de 0,7 a 500 megaciclo
- DBm de alto rendimiento hasta 11,5 del poder
- Figura de poco ruido de DB 1,7
- VSWR ancho del 1.5:1
- Alta ganancia de DB 20
- Eficacia alta del hasta 50%
- Alta eficacia poder-añadida del hasta 33%
- Uno mismo-calefacción baja < 0="">
- de la alta estabilidad sobre temperatura y el envejecimiento
- RoHS obediente
Paquete:
- 3 milímetros x 3 milímetros
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