TN5335 N8- eficacia superior del canal N del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET de G
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Electrónica de poder del MOSFET de TN5335N8-G
El TN5335N8-G es un módulo de electrónica de poder del MOSFET que ofrece funcionamiento, confiabilidad, y la eficacia excepcionales para una amplia gama de usos. Ofrece un voltaje de la dren-fuente 60V, una corriente continua máxima del dren de 5A, y una disipación de poder máxima de 15W. El TN5335N8-G también tiene una resistencia baja del en-estado de 0.41Ω, extremadamente - una carga baja de la puerta de 1.2nC, y un funcionamiento termal excelente con una temperatura de empalme máxima de 150°C. Su tamaño del pequeño paquete de 2.3m m x 2.3m m hace ideal para los tableros y los usos de alta densidad.
Características:
• voltaje de la dren-fuente 60V
• Corriente continua máxima del dren de 5A
• Disipación de poder máxima de 15W
• Resistencia baja del en-estado de 0.41Ω
• Extremadamente - carga baja de la puerta de 1.2nC
• Temperatura de empalme máxima de 150°C
• Tamaño del paquete de 2.3m m x 2.3m m
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