Electrónica de poder del MOSFET SI7615ADN-T1-GE3
Soluciones de gran intensidad de alto voltaje de la fuente de alimentación que cambian
Descripción:
El SI7615ADN-T1-GE3 es un MOSFET del canal N diseñado para proporcionar rendimiento superior en una amplia gama de usos. El dispositivo ofrece una en-resistencia baja y una carga baja de la puerta, haciéndolo ideal para el uso en la transferencia de alta velocidad y convertidores de DC-DC.
Parámetros:
•VDS (máximo): 280V
•Identificación (máxima): 8.3A
•RDS (encendido) (máximo): 0.0088Ω
•Qg (máximo): 13.4nC
•Qgd (máximo): 2.6nC
•VGS (máximo): ±20V
•Paquete: PowerPAK SO-8L
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