Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento 2N7002K-T1-GE3

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Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento 2N7002K-T1-GE3

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Number modelo :2N7002K-T1-GE3
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1 - 3 días
Detalles de empaquetado :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :300mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2Ohm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :0,6 nC @ 4,5 V
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2N7002 K-T 1- alto rendimiento de GE3

Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N

 

 

Descripción de producto:

 

El 2N7002K-T1-GE3 es un MOSFET del modo del aumento del canal N diseñado para la baja tensión, usos que cambian de alta velocidad. Este MOSFET ofrece una resistencia baja del en-estado, una velocidad rápidamente que cambia, y una alta capacidad actual máxima.

Características de producto:

 


- Modo del aumento del canal N
- Resistencia baja del en-estado
- Transferencia de alta velocidad
- Capacitancia baja de la entrada
- Alta capacidad actual máxima
- Grado máximo del voltaje: 30V
- Grado actual máximo: 200mA
- Disipación de poder máxima: 500mW
- Gama de temperaturas de funcionamiento: -55°C a +150°C

 

 

 

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Solución de la electrónica de poder del MOSFET del canal N del alto rendimiento 2N7002K-T1-GE3

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