MOSFET SQD40131EL_GE3
Transferencia de la eficacia alta del poder más elevado de la electrónica de poder
Características:
• Modo del aumento del canal N
• En-resistencia baja RDS (encendido)
• Velocidad que cambia rápida
• Producto mejorado de la carga x RDS de la puerta (encendido)
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Voltaje de la Dren-fuente (VDS): 40V
• En-resistencia de la Dren-fuente (RDS (encendido)): 13.1mΩ
• Voltaje de la Puerta-fuente (VGS): ±20V
• Drene la corriente (identificación): 30A
• Disipación de poder (paladio): 16W
• Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento: - 55 a +150°C
• Sin plomo y halógeno libres
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