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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Casa / Productos / MOSFET Power Electronics / Carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de la eficacia alta del transistor de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 para el funcionamiento mejorado /

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Carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de la eficacia alta del transistor de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 para el funcionamiento mejorado
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Anuncio del producto: MOSFET del canal N SQM120P10_10M1LGE3 Características: • voltaje de la Dren-fuente 100V • corriente continua del dren 10A • ...
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