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Substrato del semiconductor

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 Substrato del semiconductor

Oblea dopada Si del GaAs del arseniuro de galio del substrato del semiconductor para Microwave/HEMT/PHEMT

el tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-dopó la oblea del GaAs del arseniuro de galio Descripción de producto Obleas del arseniuro de galio (
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Oblea sin impurificar del arseniuro de galio de 2INCH 3INCH 4Inch semi que aísla el substrato del GaAs para el LED

tipo oblea de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N del GaAs del arseniuro de galio de /Si-doped del semi-aislamientoDescripción de productoNuestro 2' ‘a 6"...
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2" de N oblea LD/LED del GaAs DSP/SSP del arseniuro de galio del dopante del Si del substrato del semiconductor semi

N-tipo 2inch/3inch, 4inch, N-tipo del metod de VFG de las obleas del arseniuro de galio de 6inch dia150mm GaAs Tipo semiaislante para la microelectr
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2 el grueso cristalino de la oblea 0,3 de Gap del substrato del fosfuro del galio de la pulgada traslapó la superficie

cristales substrato cristalino, oblea del fosfuro del galio de 2-6 pulgadas (Gap) de Gap La poder de ZMKJ proporciona la oblea de 2i
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Oblea cristalina dopada Zn industrial del fosfuro de indio del INP del FE del substrato S del semiconductor sola

2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn dopó el fosfuro de indio del INP solo Crystal Wafer El fosfuro de indio (INP) es un material importante del semicon
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El cristal del tantalato LiTaO3 del LT litio de Y-42°, Fe+ dopó la oblea del substrato 300um para vio óptico

el cristal/Fe+ del tantalato de LT Lithium de 2inch/3inch/4inch/6inch Y-42°/36°/128° (LiTaO3) dopó el tipo oblea del substrato de 250um/300um Nombre.....
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2-6 oblea del substrato del solo cristal del substrato LiNbO3 del semiconductor de la pulgada

4inch oblea del substrato del niobato LiNbO3 del litio del diámetro 100m m, oblea de LN para la sierra y óptico, lingote cristalino del grado LiNbO3 d...
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Substrato de GaSb del antimoniuro de galio, monocristal del solo cristal para el semiconductor

monocristal del solo cristal del substrato de GaSb del antimoniuro de galio 2-4inch para el semiconductor El antimoniuro de galio (GaSb) es un m
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TIPO obleas cristalinas monocristalinas de 2-4inch N/P de los substratos de InAs del substrato del semiconductor

substrato solo Crystal Monocrystal de GaSb del antimoniuro de galio 2-4inch para el semiconductor InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb y otros materiales de
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650um grueso substrato del semiconductor del INP del solo cristal de 4 pulgadas

TIPO substrato S+/dopado obleas Zn+ /Fe de las obleas 3inch 4inch N/P del INP 2inch del semiconductor del INP + el crecimiento (método modificado
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